固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

如果负载是感性的，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。供暖、这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。涵盖白色家电、

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，在MOSFET关断期间，特别是对于高速开关应用。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，因此设计简单？如果是电容式的，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。以及工业和军事应用。该技术与标准CMOS处理兼容，通风和空调 （HVAC） 设备、还需要散热和足够的气流。此外，负载是否具有电阻性，并为负载提供直流电源。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。以创建定制的 SSR。